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STC03DE220HV单片机技术

  该STC03DE220HV制造的混合结构,采用专用的高电压和低电压双极MOSFET技术,目的是在ESBT拓扑结构提供最佳的性能。
该STC03DE220HV设计反激式开关电源中辅助使用任何三个阶段申请。
General features
■ Low equivalent on resistance
■ Very fast-switch, up to 150 kHz
■ Very low CISS driven by RG = 4.7Ω
■ In compliance with the 2002/93/EC European
Applications
■ Aux SMPS for three phase mains

 

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